Tipo de módulos Compuestos o no compuestos. El módulo compuesto es el que utiliza nº de chip muy reducidos, ya que tiene más capacidad los chip de memoria. Los módulos no compuestos, al contrario, necesitan mayor nº de chip para la misma capacidad de memoria.
Encapsulados DIP, Dual in-line package, encapsulado Dual de Línea. SOJ, alineación de pequeñas patillas en forma de J, es otro tipo de encapsulado. Se monta directamente sobre la superficie del circuito impreso.
Encapsulados TSOP (thin small-outline package) encapsulado de pequeñas patillas delgadas y alineadas, desde los módulos SIMM hasta los módulos DRAM. Son más actuales, se han afianzado como el encapsulado más utilizado.
Encapsulados sTSOP tiene las mismas características de TSOP, pero con la mitad de tamaño. Su diseño compacto permite a los diseñadores de módulos añadir más chips de memoria utilizando la misma cantidad de espacio. (Gp:)
Encapsulados CSP (PAQUETE DE ESCALA DE CHIP) A diferencia de los empaques DIP, SOJ y TSOP, este empaque no utiliza pines para conectar el chip a la tarjeta. En lugar de esto, las conexiones eléctricas de la tarjeta se hacen a través de un BGA (Rejilla de esfera) en la parte inferior del empaque. Los chips RDRAM (DRAM Rambus) utilizan este tipo de empaque. (Gp:)
Tecnológicas de memoria FPM, modo de página rápida, es muy rápida debido a su búsqueda de paginación. EDO, salida extendida de datos, mejora el acceso a los datos ya que tiene un ancho de banda mayor, de 40 nanosegundos a 25 nanosegundos BEBO DRAM, es una variación de la EDO que permite aumentar todavía más, el acceso a los datos.
Tecnológicas de memoria SDRAM, su principal característica es que se trata de una memoria síncrona, capaz de alcanzar frecuencias muy altas. PC-100 Y PC-133, funciona con un bus de 100 MHz y de 133 MHz.(168 contactos) SDRAM DDR, (Double Data Rate) memoria de doble tasa de transferencia, es un estándar fabricado por AMD y VIA technologies. La principal ventaja es que dobla el ancho de banda, pudiendo realizar dos transferencia de datos por cada ciclo de reloj.
SDRAM DDR Reducimos el voltaje de 3,3V a 2,5V 184 contactos Una sola muesca
SDRAM DDR2 1,8 V 240 contactos Una sola muesca
SDRAM DDR
SDRAM DDR2
SDRAM DDR3
SDRAM DDR3
DUAL CHANNEL Desarrollo de Intel, para los últimos modelos de P4, especialmente aquellos con el bus a 400 MHz. Permite obtener un ancho de banda de hasta 6,4 Gb/seg, válido con el modelo DDR400. Esta tecnología emplea dos canales simultáneos de datos, de esta forma, duplica la tasa de transferencia de datos efectiva.
Tecnológias de memoria SDRAM de canal virtual (VC-SDRAM) que mediante una técnica de fabricación logra mayor rapidez sin tocar los módulos DIMM (añade al módulo una serie de registros). RDRAM de Rambus 400 a 800 MHz 1,6 Gb/seg (RIMM módulo de memoria Rambus en línea) SLDRAM 3,2 Gb/seg, 64 bits 200 MHz, es un nuevo tipo de memoria que se está intentando establecer como estándar.
Módulos de memoria SIMM (Single In-line Memory Module). Para procesadores 386 y 486 de Intel, existieron de 30 y de 72 contactos, 32 bits y aunque se tenían que instalar de dos en dos el microprocesador sólo podía acceder a uno de los dos bancos en cada momento.
Módulos de memoria DIMM (módulos de memoria duales en línea) 168 SDRAM contactos 184 contactos SDRAM DDR 64 bits
Módulos de memoria SO DIMMS Un tipo de memoria que se utiliza comúnmente en las computadoras portátiles se llama SO DIMM o DIMM de delineado pequeño. La principal diferencia entre un SO DIMM y un DIMM es que el SO DIMM, debido a que su tamaño es para computadoras portátiles, es significativamente más pequeño que el DIMM estándar. Los SO DIMMs de 72 pines tienen 32 bits y los de 144 tienen 64 bits de ancho.
Integridad de los datos A pesar de que los chips de memoria son altamente fiables, hay métodos para detectar los diferentes tipos de errores en la memoria y así asegurar la integridad de los datos: Paridad, el método más usado. Se trata de añadir un bit adicional de control que nos indica el número de unos contenidos (si es par 0 y si es impar 1) Códigos de corrección de Errores (ECC, Error checking and correction), es el método más avanzado. Es capaz de corregir los errores.
ROM ROM, sólo de lectura PROM, programable y su contenido sólo se puede programar una vez. EPROM, programada borrada y reprogramada EEPROM, borrada y reprogramada eléctricamente mediante un control de un determinado software, BIOS
La memoria FLASH Es una memoria de estado sólido, no volátil y reescribible que funciona como RAM y una unidad de disco duro, combinados. La memoria flash almacena bits de datos electrónicos en celdas de memoria, al igual que DRAM, pero también funciona como una unidad de disco duro que, cuando no tiene energía, los datos permanecen en memoria. Debido a su alta velocidad, durabilidad y bajos requerimientos de voltaje, esta memoria es ideal para su uso en aplicaciones tales como cámaras digitales, vídeo cámaras, móviles, impresoras, computadoras portátiles, localizadores inteligentes, registros de audio digitales, lectores MP3, sistemas de posicionamiento global (GPS) y álbum de fotos digitales.
Tipos COMPACT FLASH I y II SMART MEDIA MULTIMEDIA CARD SECURE DIGITAL MEMORY STICK xD PICTURE
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