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Amplificador en cascada de 4 etapas con: JFET-BJT.BJT-BJT


  1. Objetivos
  2. Marco teórico
  3. Desarrollo
  4. Conclusión

AV=1, AV=-10, AV=-10, AV=1

OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL:

Conocer el funcionamiento general del circuito y observar su funcionamiento a la salida del mismo.

OBJETIVOS ESPECÍFICOS:

? Armar correctamente el circuito.

? Verificar el funcionamiento del circuito.

? Medir con el osciloscopio la señal obtenida a la salida del circuito.

MARCO TEÓRICO

AMPLIFICADOR DE CASCADA. DEFINICION

Un amplificador en cascada es un amplificador construido a partir de una serie de amplificadores, donde cada amplificador envía su salida a la entrada del amplificador al lado de una cadena.

FUNCIONAMIENTO

Una conexión entre etapas de amplificador es la conexión en cascada. Básicamente una conexión en cascada es aquella en la cual la salida de una etapa se conecta a la entrada de la segunda etapa.

APLICACION

La conexión en cascada proporciona una multiplicación de la ganancia en cada una de las etapas para tener una mayor ganancia en total.

Osciloscopio

Un osciloscopio es un instrumento de medición electrónico para la representación gráfica de señales eléctricas que pueden variar en el tiempo. Es muy usado en electrónica de señal, frecuentemente junto a un analizador de espectro. Presenta los valores de las señales eléctricas en forma de coordenadas en una pantalla, en la que normalmente el eje X (horizontal) representa tiempos y el eje Y (vertical) representa tensiones.

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Generador de Funciones

Un Generador de Funciones es un aparato electrónico que produce ondas senoidales, cuadradas y triangulares, además de crear señales TTL. Sus aplicaciones incluyen pruebas y calibración de sistemas de audio, ultrasónicos y servo.

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JFET

Puesto que hay una tensión positiva entre el drain y el surtidor, los electrones fluirán desde el surtidor al drain (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drain) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal – puerta, esta polarizado inversamente.

En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres.

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Transistor de unión bipolar

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El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Tipos de Transistor de Unión Bipolar

NPN

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NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

PNP

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El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentación a través de una carga eléctrica externa.

DESARROLLO

ESPECIFICACIONES.

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ESQUEMA

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CALCULOS ETAPA 1 JFET

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CALCULOS EN ESTATICA

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CALCULOS EN DINAMICA

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SIMULACION INDEPENDIENTE DE LA PRIMERA ETAPA

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ETAPA 2 BJT

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CALCULOS EN DINAMICA

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SIMULACION INDEPENDIENTE DE LA ETAPA 2

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ETAPA 3 BJT

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CALCULOS EN DINAMICA

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SIMULACION INDEPENDIENTE DE LA ETAPA 3

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ETAPA 4 BJT

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SIMULACION INDEPENDIENTE DE LA ETAPA 4

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SIMULACION DEL CIRCUITO CASCADA 4 ETAPAS

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CONCLUSION

En esta práctica se pudo comprobar ganancia deseado al ingresar 50Mv obteniendo una salida de 5V, los cuales resultado bien ya que se obtuvo una ganancia bien aproximada a lo esperado

RECOMENDACION

? Conectar de forma correcta los elementos del circuito para así evitar daños materiales.

? Comprobar que el JFET y el BJT estén conectados de acuerdo a sus especificaciones.

 

 

Autor:

Diego Dominguez

Miguel Cajas

LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGICA II

DOCENTE ING. LUIS ABAD