Epígrafe
""Hay una fuerza motriz más poderosa que el vapor, la electricidad y la energía atómica: la voluntad.""
Introducción
El trabajo a realizarse pretende realizar un resumen acerca algunos de los tipos de transistores existentes, en cuanto a sus características, su principio de funcionamiento (principios básicos), sus modos de conexión más comunes y las aplicaciones como el caso de los transistores bipolares y Transistor de efecto campo (FET).9
Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" ("resistencia de transferencia"). Actualmente se les encuentra prácticamente en todos los enseres domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavadoras, reproductores mp3, celulares, etc.
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente (contaminadas con materiales específicos en cantidades específicos) que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). El transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
Tipos de Transistor
Transistor de contacto puntual
Primer transistor, consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso, en la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unión bipolar
El transistor de unión, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio o Silicio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación (impurezas adicionadas intencionalmente) entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto campo es una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como la región activa o canal.
Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET, MOSFET y MISFET.
Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero puede trabajar de 2 formas:
1.- Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
2.- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación).
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc. Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de proximidad.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz de luz por un objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión.
Disipadores de calor
Un disipador es un componente metálico generalmente de aluminio que se utilizan para evitar que los transistores bipolares se calienten y se dañen.
Por ello una manera de aumentar la potencia de un transistor es deshacerse del calor interno del encapsulado.
Transistor de potencia
Son similares a los transistores comunes, con la diferencia que soportan altas tensiones e intensidades que soportan, pero debido a ello también tienen que disipar altas potencias y su recalentamiento es prolongado; para evitar el sobrerecalentamiento se usa los disipadores.
Tipos de transistores de potencia:
– Bipolar.
– Unipolar o Transistor de Efecto de Campo.
– IGBT (Transistor bipolar de puerta aislada).
Conclusiones
En cuanto lo expuesto vemos que los transistores se encuentran en la gran mayoría de productos electrónicos como: Smartphone, Celulares, Laptop, Tablets, etc.
Por ende su uso es indispensable en todo tipo de aparatos electrónicos, debido a su variedad en tipo como lo son los transistores bipolares.
Por lo dicho, llegamos a la conclusión de que los transistores en su uso actual son indispensables para la elaboración de aparatos de tecnología que requieren algún tipo de transferencia, la cual lo ofrece un transistor.
Dedicatoria
Doy mis saludos a mis compañeros que ayudaron a que se completara parte de este trabajo y a la vez a nosotros que llegamos a terminar este trabajo sin complicaciones.
Autor:
Candela Guerrero Valeria
Coraje Bayona Milagros
Roque Valdiviezo Milagros
Juarez Quintana Hristo
UNIDAD DIDACTICA: Reparación de equipos de computo
PROFESOR: Luis Eduardo Sanz Signori
SEMESTRE: 2014 – II
SECCION: IIA – 10