1 Introducción.Dispositivos electrónicos de potencia(1/4).
2 Circuito de control: Facilidad de control (paso de un estado al otro) Bajo consumo de potencia Circuito de potencia: En conducción, debe de soportar corrientes elevadas. En bloqueo, tensiones elevadas. Rapidez de conmutación entre estados. Favorece el bajo consumo de potencia en la conmutación. Introducción.Dispositivos electrónicos de potencia(2/4). Característica ideales
3 Introducción.Dispositivos electrónicos de potencia(3/4). Clasificación y tipos.
4 Introducción.Dispositivos electrónicos de potencia(4/4). Espacio de aplicación de los diferentes tipos.
5 Objetivo: Conmutar elevadas potencias con las menores perdidas posibles. Parámetros más importantes: Resistencia de conducción entre drenador y fuente (RDS(ON)). Máxima tensión de bloqueo entre drenaje y fuente (V(BR)DSS o BVDSS). Tensión puerta-fuente requerida para que comience a conducir (VGS(th)). Tensión de puerta-fuente requerida para trabajar en zona óhmica (VGS(ON)). Tensión puerta-fuente máxima (VGS(ON)). Tiempos de conmutación y capacidades parásitas de entrada y salida. MOSFET. Introducción
6 MOSFETCOMPARACIÓN CANAL N CANAL P La movilidad de los huecos (MOSTFET de canal P) es aproximadamente 2.6 veces menor que la de los electrones (MOSFET de canal N). Aplicando la ecuación que define la resistencia de un material, Un MOSFET de canal N tiene que tener 2,6 veces más superficie que la de un dispositivo de canal N equivalente. Por esta razón la mayoría de MOSFET de potencia son de canal N.
7 MOSFETCaracterística de entrada y de salida (canal n)
8 MOSFETCircuito equivalente en zona de corte (A) y óhmica (B)
9 MOSFETCircuito equivalente en zona de corte (A) y óhmica (B) Zona de corte: VDS no debe de superar la BVDSS. La corriente que circula por el drenador es IDSS prácticamente cero. La potencia consumida prácticamente cero. La mayoría de los FET llevan un diodo en antiparalelo, en caso contrario habrá que tener en cuenta la tensión inversa VDS máxima. Zona Ohmica: La tensión VGS(ON), debe de ser lo suficientemente grande para pasar de la zona de corte a la zona óhmica (del orden de 12 v), sin sobre pasar un valor máximo en torno a los 20 v. Los valores próximos a estos máximos reducen le vida media del dispositivo.
10 Conmutación del MOSFETTransitorio de Conmutación La potencia instantánea es mayor que en corte o en zona óhmica. Interesa que el transitorio sea lo más rápido posible, para reducir perdidas. La conmutación consiste en la carga o descarga de los condensadores de entrada. La velocidad de conmutación depende de la velocidad de carga o de descarga de esas capacidades (IG de pico de 2 a 3 A).
11 Conmutación del MOSFET Conmutación con carga inductiva
12 Conmutación del MOSFET Conmutación con carga inductiva
13 Conmutación del MOSFET Conmutación con carga inductiva
14 Conmutación del MOSFET Conmutación con carga inductiva, efecto del diodo de libre circulación en la disipación.
15 Conmutación del MOSFET Conmutación con carga inductiva. Trayectorias
16 Excitación de MOSFETExcitación de canal N (con carga en drenador)
17 Excitación de MOSFET Excitación de canal P (con carga en surtidor)
18 Excitación de MOSFET Motor DC.Detalles de la conmutación en la práctica.
19 Excitación de MOSFET Ataque flotante
20 Excitación de MOSFET Ataque flotante
21 Excitación de MOSFET Ataque flotante
22 Convertidor DC-DC en puente completo
23 Convertidor DC-DC en puente completoFuncionamiento en los cuatro cuadrantes
24 Convertidor DC-DC en puente completo Generación de PWM. Bipolar. TA+ TA- TB+ TB-
25 Convertidor DC-DC en puente completo Generación de PWM. Unipolar. TA+ TA- TB+ TB-
26 Control motor cc. Puente en HCaracterísticas de motor. Ref 110851 NOTAS:
27 Control motor cc. Puente en H.Modelo motor cc imán permanente.
28 Control motor cc. Puente en H Motor DC. Doble devanado.
29 Control motor cc. Puente en H Ecuaciones de la planta
30 Control motor cc. Puente en H F.T. con controlador
31 Control motor cc. Puente en H F.T. con controlador
32 Control motor cc. Puente en H Sistema a simular.