Dispositivos de potencia de estado sólido (Gp:) Electrónica de comunicaciones (Gp:) Electrónica Analógica
Dispositivos de potencia de estado sólido (Gp:) Electrónica Digital (Gp:) Instrumentación Electrónica,Bioinstrumentación
Dispositivos de potencia de estado sólido Introducción: tipos de electrónica (Gp:) Electrónica de Dispositivos y Microelectrónica (Gp:) A (Gp:) B (Gp:) Electrónica de Potencia
Dispositivos de potencia de estado sólido Introducción: Transformación de la energía eléctrica Fuente Primaria – Red – Baterías – Paneles solares – Generadores Eólicos – Etc. Circuito de Potencia Carga Circuito de Control o mando – Resistencia – Baterías – Lámparas – Motores – Etc. gobierno información
Dispositivos de potencia de estado sólido Introducción: Tipos de conversión de la energía (Gp:) CA / CC (Gp:) CC / CC (Gp:) CA / CA (Gp:) CC / CA (Gp:) Rectificador (Gp:) Regulador de continua (Gp:) Cicloconvertidor Reg. alterna (Gp:) Inversor
Dispositivos de potencia de estado sólido Introducción: Rangos de potencia según aplicación Media: 100W – 1kW Cargadores de Baterías Balastos Eléctrícos (HID) Secadores industriales Reguladores de Velocidad Baja: <100W Alarmas Balastos Electrónicos Fuentes de alimentación Herramientas Eléctricas Motores pequeños. Alta: 1kW – 100kW Equipos de rayos X. Tomógrafo Secadores Soldadura automática Resonadores magnéticos Muy Alta: 100kW – 100MW Reguladores de Tomas (Alta tensión) Inversores para generadores Inversores no autónomos para generadores
Clasificación: Diodos de potencia: uso general, de alta velocidad y Schottky. Tienen ánodo y cátodo, su voltaje de juntura va de 0.5 V a 1.2 V y cuando se polariza en inverso está en bloqueo. Dispositivos de potencia de estado sólido
Clasificación: 2. Tiristores: Dispositivos de tres terminales (ánodo, cátodo y compuerta). SCR, diac, triac, cuadrac, desactivado por compuerta GTO, de conducción inversa RCT, activadors por luz LASCR, etc. Dispositivos de potencia de estado sólido
Clasificación: 3. Transistores bipolares, BJT, de potencia: trabajan hasta 1400 V y 400 A. Por lo general operan como interruptores en emisor común. Dispositivos de potencia de estado sólido
Clasificación: 4. MOSFET de potencia: Se emplea en aplicaciones de potencia de alta velocidad. Trabajan en rangos de 1000V y 50A. Son sensibles a la estática. Dispositivos de potencia de estado sólido
Clasificación: 5. Transistores bipolares de compuerta aislada IGBT: Son controlados por voltaje, son más rápidos que los BJT. 1200 V y 400 A. Dispositivos de potencia de estado sólido
Comparación de desempeño Dispositivos de potencia de estado sólido (Gp:) 102 (Gp:) 107 (Gp:) 105 (Gp:) 104 (Gp:) 103 (Gp:) 106 (Gp:) MARGEN DE POTENCIA (V·A) (Gp:) IGBT (Gp:) MOSFET (Gp:) 10 102 103 104 105 106 107 108 (Gp:) GTO (Gp:) SCR (Gp:) BJT (Gp:) FRECUENCIA (Hz)
Montaje físico Dispositivos de potencia de estado sólido (Gp:) Disipador (Gp:) Tuerca (Gp:) Tiristor (Gp:) Montaje 1 (Gp:) Montaje 2 (Gp:) Disipador (Gp:) Tuerca (Gp:) Transistor
Montaje físico Dispositivos de potencia de estado sólido (Gp:) Montaje 3 (Gp:) Radiador (Gp:) Press-package
DIODO SHOCKLEY: Es un diodo especial que se construye con 4 capas semiconductoras. Diodos de potencia
DIODO SHOCKLEY: Modelo de cuatro capas Diodos de potencia
DIODO SHOCKLEY: Operación básica Diodos de potencia
DIODO SHOCKLEY: Ecuaciones características: Diodos de potencia
DIODO SHOCKLEY: Operación básica Diodos de potencia Apagado, región de bloqueo Encendido región de conducción en directa Corriente de retención Voltaje de ruptura en directa
DIODO SHOCKLEY: Aplicación: oscilador de relajación Diodos de potencia